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沖擊電壓發(fā)生器通用技術(shù)條件波形要求

沖擊電壓發(fā)生器的絕緣件和電阻應(yīng)滿足絕緣距離的要求，沖擊電壓發(fā)生器全套設(shè)備在其額定電壓下充放電3次后。沖擊電壓發(fā)生器標(biāo)準(zhǔn)波形測(cè)定應(yīng)按GB/T16927.1的要求進(jìn)行。

時(shí)間：2021-12-23 預(yù)覽：1466次

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油浸式試驗(yàn)變壓器工頻耐壓試驗(yàn)使用方法

油浸式試驗(yàn)變壓器做被試品的工頻耐壓試驗(yàn)時(shí)，使用接線根據(jù)工頻耐壓試驗(yàn)接線圖連接，工頻耐壓試驗(yàn)中限流電阻R應(yīng)根據(jù)試驗(yàn)變壓器的額定容量來(lái)選擇。如高壓側(cè)額定輸出電流在100一300mA時(shí)，可取0.5-1Ω/v(試驗(yàn)電壓);高壓側(cè)額定輸出電流為1A以上時(shí)，可取1Ω/v(試驗(yàn)電壓)。

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試驗(yàn)變壓器控制臺(tái)規(guī)格及選用配套方法

試驗(yàn)變壓器控制臺(tái)(箱)的容量是與調(diào)壓器是與調(diào)壓器的容量而標(biāo)稱，如果和試驗(yàn)變壓器(短時(shí)30min以內(nèi)工作制) 配套工作，可根據(jù)電力行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)“DL474.4-92”之規(guī)定：Po=0.75P選配。式中P。一試驗(yàn)變壓器容量;P一調(diào)壓器容量。

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直流電阻測(cè)試儀性能特點(diǎn)及操作注意

直流電阻測(cè)試儀輸出電流大(最大可以輸出20A)，測(cè)試范圍寬(最大至2KQ)適合35KV電壓等級(jí)及以下所有變壓器的溫升試驗(yàn)和直流電阻的測(cè)量。

時(shí)間：2021-12-22 預(yù)覽：1354次

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局部放電檢測(cè)儀試驗(yàn)操作面板說(shuō)明

在“聚焦”的右面為亮度旋鈕，可對(duì)示波屏上顯示的橢圓曲線的亮度進(jìn)行調(diào)節(jié)，以使顯示的圖形更清晰，在剛剛打開(kāi)局部放電檢測(cè)儀以及關(guān)閉局放儀電源之時(shí)，須將亮度旋鈕關(guān)到最小，以延長(zhǎng)示波屏的使用壽命。

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直流高壓發(fā)生器現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)操作說(shuō)明

將控制箱面板上的接地端子和高壓塔的接地接線柱用接地線連接在一起并和現(xiàn)場(chǎng)或試驗(yàn)室的地線接牢。為保證您和設(shè)備的安全，請(qǐng)務(wù)必反復(fù)檢查地線，確保直流高壓發(fā)生器各部接地良好。

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超低頻高壓發(fā)生器輸出電壓和波形檢驗(yàn)要求

超低頻高壓發(fā)生器高壓端連接電容量為50%額定電容量的電容性負(fù)載試品(如電力電容器)，外接綜合誤差小于或等于1.5%的電壓測(cè)量裝置，測(cè)量高壓輸出電壓峰值逐步上升至0.3、0.5、0.8和1.0倍額定值時(shí)的輸出電壓波形。

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全自動(dòng)絕緣靴手套耐壓試驗(yàn)裝置操作規(guī)范

全自動(dòng)絕緣靴手套耐壓試驗(yàn)裝置可以按《電力安全工器具預(yù)防性試驗(yàn)規(guī)程》要求對(duì)絕緣鞋、絕緣手套等安全工器具進(jìn)行智能化絕緣耐壓試驗(yàn)，絕緣靴及絕緣手套耐試驗(yàn)周期為半年，試驗(yàn)過(guò)程中不允許擊穿，同時(shí)絕緣靴絕緣絕緣手套泄漏電流不大于限定值。產(chǎn)品適用于所有與電力相關(guān)行業(yè)。

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高壓斷路器絕緣試驗(yàn)項(xiàng)目交流耐壓試驗(yàn)

交流耐壓的試驗(yàn)電壓一般由試驗(yàn)變壓器或變頻串聯(lián)諧振耐壓試驗(yàn)裝置串聯(lián)諧振回路產(chǎn)生。為使試驗(yàn)電壓不受泄漏電流變化的影響，變壓器輸送的被試品短路電流應(yīng)不小于0.1A當(dāng)被試品放電時(shí)，使試驗(yàn)電壓產(chǎn)生較大波動(dòng)，可能會(huì)造成被試品和試驗(yàn)變壓器損壞，應(yīng)在試驗(yàn)回路中串聯(lián)一些阻尼元件。

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高壓開(kāi)關(guān)機(jī)械特性測(cè)試儀主要試驗(yàn)項(xiàng)目

高壓開(kāi)關(guān)機(jī)械特性測(cè)試儀的結(jié)構(gòu)，操作和接線方式都按現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)的作業(yè)要求設(shè)計(jì)，針對(duì)現(xiàn)場(chǎng)可能出現(xiàn)的意外，具備完整的保護(hù)措施;能承受500KV變電現(xiàn)場(chǎng)的電磁干擾;儀器采用高性能ARM芯片，可存儲(chǔ)測(cè)試參數(shù)和曲線，并自動(dòng)生成測(cè)試報(bào)告。

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